Asal obteve o seu doutoramento em Electrónica e Optoelectrónica na Universidade do Algarve num projeto de colaboração com os Laboratórios de Investigação Philips, em dezembro de 2013. O tema da sua tese foi "resistive switching memories (memristor devices) based on nanoparticles".
A sua Research concentra-se na investigação das propriedades elétricas de uma classe promissora de materiais flexíveis baseados em óxidos amorfos, aplicados a dispositivos de comutação resistiva e transistores de película fina (física de dispositivos) com foco em aplicações na IoT. Lidera uma equipa de investigação dedicada a aplicações baseadas em dispositivos de comutação resistiva, orientando anualmente vários estudantes de doutoramento e mestrado nas áreas de Micro e Nanotecnologia, Eletrónica e Ciência dos Materiais.
É a Investigadora Principal (PI) do projeto NeurOxide (PTDC/NAN-MAT/30812) e do projeto OPERA (2022.08132.PTDCO), que visam integrar transistores de película fina com dispositivos de comutação resistiva e desenvolver dispositivos de comutação resistiva optoeletrónicos para redes neuromórficas. Além disso, atua como coordenadora local do projeto europeu TERRAMETA (Acordo de Subvenção nº 101097101, https://terrameta-project.eu/), que tem como foco o desenvolvimento de comutadores de radiofrequência com consumo estático nulo, utilizando tecnologia de comutação resistiva não volátil para superfícies inteligentes reconfiguráveis. Também é membro de destaque no projeto ELLEGANCE, que trabalha em visão neuromórfica, (https://cordis.europa.eu/project/id/101161114).
É membro ativo do comité organizador da Conferência Doutoral em Computação, Eletrónica e Sistemas Industriais (DoCEIS) desde 2016. Desde 2023, lidera o grupo “Tecnologias de Comutação Resistiva para Soluções Neuromórficas e de RF” na Secção de Materiais para Eletrónica, Optoeletrónica e Nanotecnologias (MEON).
Estudo de dispositivos memristor desde a fabricação com diferentes técnicas até várias aplicações de sistemas de computação e comunicação extremamente eficientes em termos de potência. Entre todos, são actualmente investigadas diferentes arquitecturas de redes neuronais e comutadores RF baseados em memórias.
Memristor e circuitos e dispositivos transistor de película fina, Computação neuromórfica, Sistema no painel, Internet das coisas (IoT)
[1] Pereira Maria, Kiazadeh, Asal*; "Unlocking Neuromorphic Vision: Advancements in IGZO-based Optoelectronic Memristors with Visible Range Sensitivity" Journal: ACS Applied Electronic Materials. Ref. el-2024-00752d, (2024) https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC11270833/
[2] Franco, Miguel; Kiazadeh, Asal*; Deuermeier, Jonas; Martins, Rodrigo; Lanceros-Méndez; Carlos, Emanuel; "Inkjet-printed IGZO memristors with volatile and non-volatile switching. " Nature Scientific report (2024) 14:7469 https://www.nature.com/articles/s41598-024-58228-y
[3] Silva, Carlos; Deuermeier, Jonas; Zhang, Weidong; Carlos, Emanuel; Barquinha, Pedro; Martins, Rodrigo; Kiazadeh, Asal*." Perspective: Zinc-Tin Oxide based Memristors for Sustainable and Flexible In-memory computing edge devices". Advanced Electronic Materials (2023): 202300286, 1-16. https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/aelm.202300286
[4] Pereira, M. et.al. “Flexible active crossbar using amorphous oxide semiconductor technology towards artificial neural networks hardware”, Adv. Elec. Mat. ISSN: 2199-160X (2022). https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/aelm.202200642
[5] E. Carlos, R. Branquinho, R. Martins, A. Kiazadeh, E. Fortunato, Recent Progress in Solution‐Based Metal Oxide Resistive Switching Devices, Adv. Mater. 33 (2021) 2004328. https://doi.org/10.1002/adma.202004328.